聚焦离子/电子双束分析
Focused Ion Beam
纳米尺度超高分辨率成像、分析和制造。可实现高热量稳定性的恒定功率透镜、可实现更高探测线性和速度的静电扫描以及可实现各种条件下的超清晰成像。改进的穿透透镜探测器（TLD）用于探测最高采集效率的SE（二次电子）和轴BSE（背散射电子），探测器套组包括可伸缩的的固态背散射探测器。技术参数如下：
1. 二次电子像分辨率：0.9nm（15kV），1.4nm（1kV）；
2. 放大倍数：40~600000；
3. 加速电压：0.5~30kV；
4. 离子成像分辨率：4nm(30kV) ；
5. 加速电压：0.5~30kV。
主要功能：
1. SEM扫描电子显微镜结构分析；
2. 微纳结构加工；
3. TEM透射电镜样品制备；
FIB透射样品制备：4500元起/样
FIB应用案例
TEM样品制备过程
FIB纳米加工以及截面成像
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